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產品分類2-12μm ,MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-4TE系列具有好的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。起始波長可根據需要進行優化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。
2-12μm , MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列具有好的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。切割波長可根據需要進行優化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。
2-12μm MCT 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-2TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的兩級熱電冷卻紅外光電探測器,具有好的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。
2-12μm 中紅外MCT三級熱電冷卻紅外光電探測器, 帶TEC ,PV-3TE系列是基于復雜的MCT異質結構的三級熱電冷卻紅外光電探測器,具有好的性能和穩定性。探測器在λopt時達到好性能。起始波長可根據需要進行優化。
2.5-6.5μm MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測器 PVI系列是基于復雜的MCT異質結構的非制冷紅外光電探測器,采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數,使其具有好的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到好性能。