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產(chǎn)品中心
半導(dǎo)體連續(xù)激光器
QCL5184DFB-5.18um高功耗臺式DFB-QCL中紅外量子級聯(lián)激光器是筱曉2019上半年開發(fā)出的中紅外測試激光,大氣窗口低損耗有利于空間光通訊測試研究。我們的臺式光源功率高不需要ITAR審核,是目前商用中紅外測試光源的優(yōu)秀選擇。超過100nm的可調(diào)諧范圍,輸出功率大于100mw滿足客戶測試的工業(yè)需求。我們的激光器內(nèi)置Znse準(zhǔn)直輸出輸出功率穩(wěn)定,溫度波長穩(wěn)定性*比傳統(tǒng)大功耗的量子級聯(lián)激
760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL TO39 760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點,2nm調(diào)諧范圍,專為可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜(TDLAS)應(yīng)用而設(shè)計,內(nèi)置防靜電(ESD)保護.
1567nm VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 1.0mW 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。
795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C) 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。
852±1nm Philips單模VCSEL激光器 1mW(帶TEC) Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。